Корпорация Intel опубликовала планы по расширению ассортимента встраиваемой флэш-памяти типа NOR за счет 65-нанометрового поколения продукции – этот шаг ориентирован на заказчиков, выпускающих интегрированные системы. По заявлению компании, переход к использованию 65-нанометровой производственной технологии позволит сбалансировать соотношение между ценой и производительностью, а также продлить жизненный цикл продукции; эти факторы имеют большое значение для OEM-производителей, создающих встраиваемые решения. Начало поставок опытных партий 65-нанометровой продукции Intel, которая обычно используется в устройствах бытовой электроники, в проводном коммуникационном оборудовании и в промышленных приложениях, запланировано на первую половину 2008 г.

Предлагаемая Intel продукция типа NOR для сегмента встраиваемых систем включает решения с параллельной и с последовательной выборкой. Встраиваемая память Intel StrataFlash (P30/P33) выполнена на одной микросхеме, содержит код и данные, отличается высокой плотностью данных и производительностью, а также наименьшей стоимостью в расчете на 1 бит. Встраиваемая флэш-память Intel Embedded Flash Memory (J3 v.D) позволяет обновлять устаревшие конструкции методом вставки (drop-in). Ее расширенные функциональные возможности обеспечивают поддержку серийных встраиваемых приложений, которым требуются соответствующие функции и масштабируемость. Флэш-память Intel Serial Flash Memory (S33), отвечающая отраслевым стандартам, позволяет упростить конструкцию плат, экономит место на плате, имеет меньшее число выводов, более компактный корпус и применяется в широком спектре устройств, таких как телевизоры, DVD-проигрыватели, ПК, модемы и принтеры.